Сайт ПРОСОФТНовости   Два новых транзистора Cree с высокой под...  
30 января 2014

Два новых транзистора Cree с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия

Компания Cree представила СВЧ-транзисторы, предназначенные для использования в радарных системах S-диапазона, применяемые с целью метеорологических наблюдений, контроля движения воздушных и морских судов, систем навигации, наблюдения, поиска и спасения.

Устройства работают в диапазоне частот 2,9–3,5 ГГц. В основе обоих транзисторов использована разработанная компанией Cree уникальная технология выращивания структур GaN на подложках карбида кремния (SiC) и создания на их основе кристаллов транзисторов с высокой плотностью мощности, с толщиной затвора 0,4 мкм и напряжением 50 В. Благодаря данной технологии оба изделия имеют высокие значения  эффективности и коэффициента усиления, широкую полосу частот и стабильные характеристики при повышенной температуре.

Типовое значение выходной мощности транзистора CGHV35150 – 150 Вт, значение коэффициента усиления составляет 13,5 дБ, а его эффективность порядка 50%. Типовое значение выходной мощности транзистора CGHV35400F составляет 400 Вт, коэффициент усиления равен 10,5 дБ, а эффективность – примерно 60%. Характеристики обоих изделий определяются при температуре 85°C, спад амплитуды импульса не превосходит 0,3 дБ.

Новинки имеют меньшие размеры посадочного места по сравнению с аналогичными СВЧ-изделиями на основе арсенида галлия (GaAs) или кремния (Si), что позволяет разнообразить дизайн разрабатываемых с их применением СВЧ-устройств.

Обе модели транзистора могут изготавливаться в металлокерамическом фланцевом корпусе, модель CGHV35150, кроме того, может быть поставлена в корпусе-«таблетке».



Cree

Компания Cree Inc. является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы от Cree на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми изделиями. В настоящее время Cree производит высоковольтные SiC-диоды Шотки по технологии ZERO RECOVERYTM с нулевым временем обратного восстановления, СВЧ-полевые транзисторы, а также кристаллы для светодиодов и полупроводниковых лазеров синего и ультрафиолетового диапазона.

На территории России и стран СНГ приобрести продукцию Cree Inc можно у компании ПРОСОФТ и ее региональных дилеров.