Описание
Компания RFHIC была основана в 1999 году и сразу завоевала лидирующие позиции на рынках телекоммуникационного оборудования и оборудования для кабельного телевидения за счет инновационного подхода к технологиям создания компонентов. Для обеспечения заказчиков высококачественной продукцией на оптимальных условиях на собственном заводе RFHIC реализован полный производственный цикл: разработка, посадка кристалла на подложку, разварка контактов, корпусирование. Компания также широко применят гибридные технологии. Кроме того, производственная база оснащена линиями поверхностного монтажа и СВЧ-контроля.
Основная технология, которую компания RFHIC традиционно применяла в своих компонентах -- GaN (нитрид галлия). В 2009 году с компанией CREE (США) было заключено соглашение о применении транзисторов GaN-on-SiC (нитрид галлия на карбиде кремния) для линейки RFHIC HEMT. Кроме того, компании договорились о совместной работе в области продвижения GaN HEMT-транзисторов путем расширения производства подложек на площадке CREE, дальнейшего корпусирования и использования их в готовых усилителях RFHIC. Данная технология была выбрана не случайно: она обладает преимуществами по температурным и электрическим характеристикам по отношению к ранее используемой технологии GaN-on-Si (нитрид галлия на кремнии). Объединение усилий двух ведущих производителей CREE и RFHIC позволит в краткие сроки обеспечить рынок высококачественными готовыми решениями и компонентами, созданных по передовым технологиям.